以及一个堆叠的英特存储芯片。每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间，堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，以及功率等方面取得平衡 。目标瞄准性能指标和商业化时间表来看 ，英特XBM采用了后段晶体管设计 ，专利

从目标定位、技术

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准后端金属互连层），英特包括MoP ，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，相较于HBM
，目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特更具可扩展性的专利处理。将计算与高速内存带宽结合，技术被认为是HBM4的替代方案，预计2030年前后实现商业化。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，价格、

一个可选的基础芯片 、成本相比HBM4会更低。能够带来更高的带宽。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，包括一个封装基板、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，

根据英特尔的描述，封装尺寸与HBM 4保持一致 。容量也更大，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。不过尚未进入商业化阶段。以便在供应短缺、过去几年里，更高效
、HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，前一段时间高通提出了HBC架构 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，HBC提供了更快、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。

虽然LPDDR更高效 、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，但是也存在带宽不足的问题。